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JANTXV2N2920

JANTXV2N2920

数据手册.pdf

Trans GP BJT NPN 60V 0.03A 6Pin TO-78

Implement this versatile NPN GP BJT from into an electronic circuit to be used as a current or voltage-controlled switch or amplifier. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 350 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 6 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -65 °C to 200 °C.

JANTXV2N2920中文资料参数规格
技术参数

频率 140 MHz

耗散功率 0.35 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 6

封装 TO-78-6

外形尺寸

封装 TO-78-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

JANTXV2N2920引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
JANTXV2N2920 Microsemi 美高森美 Trans GP BJT NPN 60V 0.03A 6Pin TO-78 搜索库存
替代型号JANTXV2N2920
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： JANTXV2N2920

品牌： Microsemi 美高森美

封装： TO-78-6 350mW

当前型号

Trans GP BJT NPN 60V 0.03A 6Pin TO-78

当前型号

型号： JANTX2N2920

品牌： 美高森美

封装： TO-78 350mW

完全替代

JANTX 系列 60 V 30 mA NPN 通孔 硅 双 晶体管 - TO-78

JANTXV2N2920和JANTX2N2920的区别

型号： JANS2N2920

品牌： 美高森美

封装： TO-206AA 350mW

完全替代

Trans GP BJT NPN 60V 0.03A 6Pin TO-78

JANTXV2N2920和JANS2N2920的区别

型号： JANTXV2N2919

品牌： 美高森美

封装： TO-78-6

完全替代

Trans 2npn 60V 0.03A To78

JANTXV2N2920和JANTXV2N2919的区别