JANTXV2N3868S
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTXV2N3868S中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 30 @1.5A, 2V
额定功率Max 1 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-205
外形尺寸
封装 TO-205
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
JANTXV2N3868S引脚图与封装图
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在线购买JANTXV2N3868S
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTXV2N3868S | Microsemi 美高森美 | 硅PNP功率晶体管 Silicon PNP Power Transistors | 搜索库存 |
替代型号JANTXV2N3868S
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTXV2N3868S 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-39 | 当前型号 | 硅PNP功率晶体管 Silicon PNP Power Transistors | 当前型号 |
| 型号： JANTX2N3868 品牌： 美高森美 封装： TO-5 1000mW | 完全替代 | 硅PNP功率晶体管 Silicon PNP Power Transistors | JANTXV2N3868S和JANTX2N3868的区别 |
| 型号： JAN2N3868 品牌： 美高森美 封装： TO-5 1000mW | 完全替代 | 硅PNP功率晶体管 Silicon PNP Power Transistors | JANTXV2N3868S和JAN2N3868的区别 |
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