JAN2N6298
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N6298中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 750 @4A, 3V
额定功率Max 64 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-213
外形尺寸
封装 TO-213
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准
含铅标准
JAN2N6298引脚图与封装图
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在线购买JAN2N6298
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN2N6298 | Microsemi 美高森美 | PNP达林顿功率硅晶体管 PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号JAN2N6298
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N6298 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-66 | 当前型号 | PNP达林顿功率硅晶体管 PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR | 当前型号 |
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