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JANTX2N6990

JANTX2N6990

数据手册.pdf

Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 14Pin FPAK

Do you require a transistor in your circuit operating in the high-voltage range? This NPN general purpose bipolar junction transistor, developed by , is your solution. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 400 mW. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 200 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V and a maximum emitter base voltage of 6 V.

JANTX2N6990中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.4 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

额定功率Max 400 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 400 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 14

封装 Flatpack-14

外形尺寸

封装 Flatpack-14

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

JANTX2N6990引脚图与封装图
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: JANTX2N6990

品牌: Microsemi 美高森美

封装: 14-Flatpack 400mW

当前型号

Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 14Pin FPAK

当前型号

型号: JANTXV2N6990

品牌: 美高森美

封装: 14-Flatpack 400mW

完全替代

Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 14Pin FPAK

JANTX2N6990和JANTXV2N6990的区别

型号: JAN2N6990

品牌: 美高森美

封装: 14-Flatpack

完全替代

Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 14Pin FPAK

JANTX2N6990和JAN2N6990的区别

型号: JANS2N6990

品牌: 美高森美

封装: DFP 400mW

完全替代

Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 14Pin FPAK

JANTX2N6990和JANS2N6990的区别