JANTXV2N5680
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTXV2N5680中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 120 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 40 @250mA, 2V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-39
外形尺寸
封装 TO-39
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准
JANTXV2N5680引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTXV2N5680 | Microsemi 美高森美 | TO-39 PNP 120V 1A | 搜索库存 |