
极性 PNP
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 120 V
集电极最大允许电流 1A
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-39
封装 TO-39
材质 Silicon
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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JANTX2N5680 | Microsemi 美高森美 | TO-39 PNP 120V 1A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: JANTX2N5680 品牌: Microsemi 美高森美 封装: TO-39 PNP 1000mW | 当前型号 | TO-39 PNP 120V 1A | 当前型号 | |
型号: 2N5680 品牌: 美高森美 封装: TO-39 1000mW | 完全替代 | PNP功率晶体管的硅放大器 PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMPLIFIER | JANTX2N5680和2N5680的区别 | |
型号: 2N5679 品牌: 美高森美 封装: TO-39 | 完全替代 | PNP功率晶体管的硅放大器 PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMPLIFIER | JANTX2N5680和2N5679的区别 | |
型号: JAN2N3635 品牌: 美高森美 封装: TO-39 | 类似代替 | PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR | JANTX2N5680和JAN2N3635的区别 |