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JANS2N2907AUB

JANS2N2907AUB

数据手册.pdf
Semicoa Semiconductor 电子元器件分类

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 3Pin CSOT-23

The three terminals of this PNP GP BJT from s give it the ability to be used as either an electronic switch or amplifier. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 500 mW. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 200 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.

JANS2N2907AUB中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.5 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

引脚数 4

封装 CSOT-23

外形尺寸

封装 CSOT-23

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

海关信息

ECCN代码 EAR99

JANS2N2907AUB引脚图与封装图
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JANS2N2907AUB Semicoa Semiconductor Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 3Pin CSOT-23 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: JANS2N2907AUB

品牌: Semicoa Semiconductor

封装:

当前型号

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 3Pin CSOT-23

当前型号

型号: JANTXV2N2907AUB

品牌: Semicoa Semiconductor

封装:

类似代替

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 3Pin CSOT-23

JANS2N2907AUB和JANTXV2N2907AUB的区别

型号: JANTX2N2907AUB

品牌: 美高森美

封装: UB 500mW

功能相似

PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR

JANS2N2907AUB和JANTX2N2907AUB的区别