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JANS2N2219A

JANS2N2219A

数据手册.pdf
Semicoa Semiconductor 电子元器件分类

Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3Pin TO-39

s has the solution to your circuit"s high-voltage requirements with their NPN general purpose bipolar junction transistor. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 3000 mW. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 200 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V and a maximum emitter base voltage of 6 V.

JANS2N2219A中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.8 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 800 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-39

外形尺寸

封装 TO-39

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

海关信息

ECCN代码 EAR99

JANS2N2219A引脚图与封装图
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JANS2N2219A Semicoa Semiconductor Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3Pin TO-39 搜索库存
替代型号JANS2N2219A
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: JANS2N2219A

品牌: Semicoa Semiconductor

封装:

当前型号

Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3Pin TO-39

当前型号

型号: JANTXV2N2219A

品牌: Semicoa Semiconductor

封装:

类似代替

Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A IC, 50V VBRCEO, 1Element, NPN, Silicon, TO-39, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3

JANS2N2219A和JANTXV2N2219A的区别

型号: 2N2219A

品牌: 意法半导体

封装: TO-39 NPN 75V 600mA 800mW

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STMICROELECTRONICS  2N2219A  单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 800 mW, 600 mA, 300 hFE

JANS2N2219A和2N2219A的区别

型号: 2N2219

品牌: Central Semiconductor

封装: TO-39

功能相似

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Ampl/Switch

JANS2N2219A和2N2219的区别