JANTXV2N3501UB
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTXV2N3501UB中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 0.5 W
击穿电压集电极-发射极 150 V
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SMD-3
外形尺寸
封装 SMD-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
JANTXV2N3501UB引脚图与封装图
暂无图片
在线购买JANTXV2N3501UB
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTXV2N3501UB | Microsemi 美高森美 | Trans GP BJT NPN 150V 0.3A 3Pin Case UB | 搜索库存 |
替代型号JANTXV2N3501UB
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTXV2N3501UB 品牌： Microsemi 美高森美 封装： Waffle 500mW | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 150V 0.3A 3Pin Case UB | 当前型号 |
| 型号： JANTX2N3501UB 品牌： 美高森美 封装： Waffle 500mW | 完全替代 | Trans GP BJT NPN 150V 0.3A 3Pin Case UB | JANTXV2N3501UB和JANTX2N3501UB的区别 |
| 型号： 2N3501UB 品牌： 美高森美 封装： SMD 500mW | 完全替代 | 抗辐射 RADIATION HARDENED | JANTXV2N3501UB和2N3501UB的区别 |
| 型号： JANS2N3501UB 品牌： 美高森美 封装： Case NPN 500mW | 完全替代 | NPN 150V 0.3A | JANTXV2N3501UB和JANS2N3501UB的区别 |