JAN2N5682

Microsemi(美高森美) 分立器件

Trans GP BJT NPN 120V 1A 3Pin TO-39

FEATURES: ? NPN POWER AMPLIFIER SILICON TRANSISTOR ? Qualified per MIL-PRF-19500/580

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Power BJT

艾睿:
Trans GP BJT NPN 120V 1A 3-Pin TO-39

JAN2N5682中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 120 V

最小电流放大倍数hFE 40 @250mA, 2V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-205

外形尺寸

封装 TO-205

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

JAN2N5682引脚图与封装图

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JAN2N5682	Microsemi 美高森美	Trans GP BJT NPN 120V 1A 3Pin TO-39	搜索库存

替代型号JAN2N5682

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： JAN2N5682 品牌： Microsemi 美高森美封装： TO-39	当前型号	Trans GP BJT NPN 120V 1A 3Pin TO-39	当前型号
型号： JANTXV2N5682 品牌：美高森美封装： TO-39 1000mW	完全替代	双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT Power BJT	JAN2N5682和JANTXV2N5682的区别
型号： JANTX2N5682 品牌：美高森美封装： TO-39	完全替代	Trans GP BJT NPN 120V 1A 3Pin TO-39	JAN2N5682和JANTX2N5682的区别
型号： 2N5682LEADFREE 品牌： Central Semiconductor 封装：	功能相似	TO-39 NPN 120V 1A	JAN2N5682和2N5682LEADFREE的区别