JAN2N3811

Microsemi(美高森美) 分立器件

Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 6Pin TO-78

Bipolar BJT Transistor Array 2 PNP Dual 60V 50mA 350mW Through Hole TO-78-6

得捷:
TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78

艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 6-Pin TO-78

JAN2N3811中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 60 V

最小电流放大倍数hFE 300 @1mA, 5V

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 6

封装 TO-78-6

外形尺寸

封装 TO-78-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

JAN2N3811引脚图与封装图

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