JAN2N2605
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N2605中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 5V
额定功率Max 400 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 400 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-46-3
外形尺寸
封装 TO-46-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
JAN2N2605引脚图与封装图
暂无图片
替代型号JAN2N2605
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N2605 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-46 | 当前型号 | Trans GP BJT PNP 60V 0.03A 3Pin TO-46 | 当前型号 |
| 型号： 2N2605 品牌： 美高森美 封装： TO-46 400mW | 完全替代 | PNP硅低功率晶体管 PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR | JAN2N2605和2N2605的区别 |
| 型号： JANTX2N2605 品牌： Semicoa Semiconductor 封装： | 功能相似 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A IC, 60V VBRCEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-46, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3 | JAN2N2605和JANTX2N2605的区别 |