JANTXV2N5666
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTXV2N5666中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1.2 W
击穿电压集电极-发射极 200 V
最小电流放大倍数hFE 40 @1A, 5V
额定功率Max 1.2 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1200 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-5
外形尺寸
封装 TO-5
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
JANTXV2N5666引脚图与封装图
暂无图片
在线购买JANTXV2N5666
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTXV2N5666 | Microsemi 美高森美 | NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号JANTXV2N5666
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTXV2N5666 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-5 1200mW | 当前型号 | NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： TIP112 品牌： NTE Electronics 封装： | 功能相似 | t-Npn Si- Po Darlington | JANTXV2N5666和TIP112的区别 |
| 型号： TIP117 品牌： NTE Electronics 封装： | 功能相似 | t-Pnp Si Po Darlington | JANTXV2N5666和TIP117的区别 |
| 型号： TIP36C 品牌： NTE Electronics 封装： | 功能相似 | t-Pnp Si- Pwr Amp | JANTXV2N5666和TIP36C的区别 |