JANTX2N3637UB
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTX2N3637UB中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 175 V
最小电流放大倍数hFE 100 @50mA, 10V
额定功率Max 1.5 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SMD-3
外形尺寸
封装 SMD-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
JANTX2N3637UB引脚图与封装图
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| JANTX2N3637UB | Microsemi 美高森美 | Trans GP BJT PNP 175V 1A 3Pin UB | 搜索库存 |