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JANTX2N3740

JANTX2N3740

数据手册.pdf

PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR

Implement this PNP GP BJT from to add switching and amplifying capabilities to your electronic circuit design. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 7 V. Its maximum power dissipation is 25000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 7 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -65 °C to 200 °C.

JANTX2N3740中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 25 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

最小电流放大倍数hFE 30 @250mA, 1V

额定功率Max 25 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 25000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-66

外形尺寸

封装 TO-66

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

海关信息

ECCN代码 EAR99

JANTX2N3740引脚图与封装图
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在线购买JANTX2N3740
型号 制造商 描述 购买
JANTX2N3740 Microsemi 美高森美 PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR 搜索库存
替代型号JANTX2N3740
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： JANTX2N3740

品牌： Microsemi 美高森美

封装： TO-66 25000mW

当前型号

PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR

当前型号

型号： 2N4898

品牌： 美高森美

封装：

完全替代

Power Bipolar Transistor, 1A IC, 40V VBRCEO, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin,

JANTX2N3740和2N4898的区别

型号： 2N4900

品牌： 美高森美

封装： TO-66

类似代替

2N4900 -- Local Stock w/CERTS

JANTX2N3740和2N4900的区别

型号： 2N3741

品牌： Central Semiconductor

封装：

功能相似

Trans GP BJT PNP 80V 4A 3Pin2+Tab TO-66 Sleeve

JANTX2N3740和2N3741的区别