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JANTX2N3507

JANTX2N3507

数据手册.pdf

TO-39 NPN 50V 3A

This family of 2N3506 through 2N3507A high-frequency, epitaxial planar transistors feature low saturation voltage.  These devices are also available in TO-5 and low profile U4 packaging.  also offers numerous other transistor products to meet higher and lower power ratings with various switching speed requirements in both through-hole and surface-mount packages.


艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 3A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag


Verical:
Trans GP BJT NPN 50V 3A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag


JANTX2N3507中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 3A

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-39

外形尺寸

封装 TO-39

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

海关信息

ECCN代码 EAR99

JANTX2N3507引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
JANTX2N3507 Microsemi 美高森美 TO-39 NPN 50V 3A 搜索库存
替代型号JANTX2N3507
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: JANTX2N3507

品牌: Microsemi 美高森美

封装: TO-39 NPN 1000mW

当前型号

TO-39 NPN 50V 3A

当前型号

型号: JAN2N3507

品牌: 美高森美

封装: TO-205AD NPN 1000mW

完全替代

TO-39 NPN 50V 3A

JANTX2N3507和JAN2N3507的区别

型号: 2N3507A

品牌: 美高森美

封装: TO-39 1000mW

完全替代

NPN型中功率硅晶体管 NPN MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR

JANTX2N3507和2N3507A的区别

型号: JANTX2N3507A

品牌: 美高森美

封装: TO-39 NPN

完全替代

TO-39 NPN 50V 3A

JANTX2N3507和JANTX2N3507A的区别