JANTX2N3636
数据手册.pdf
Microsemi
美高森美
分立器件
JANTX2N3636中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-39
外形尺寸
封装 TO-39
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
海关信息
ECCN代码 EAR99
JANTX2N3636引脚图与封装图
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在线购买JANTX2N3636
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTX2N3636 | Microsemi 美高森美 | PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号JANTX2N3636
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTX2N3636 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-39 1000mW | 当前型号 | PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： JANTX2N3637 品牌： 美高森美 封装： TO-39 1000mW | 完全替代 | PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR | JANTX2N3636和JANTX2N3637的区别 |
| 型号： 2N3637L 品牌： 美高森美 封装： TO-39 PNP | 类似代替 | PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR | JANTX2N3636和2N3637L的区别 |
| 型号： JANSR2N3637 品牌： 美高森美 封装： TO-39 1000mW | 类似代替 | Trans GP BJT PNP 175V 1A 1000mW 3Pin TO-39 | JANTX2N3636和JANSR2N3637的区别 |