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JANTXV2N3057A

JANTXV2N3057A

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低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR

This 2N3057A NPN leaded silicon transistor device is military qualified for high-reliability applications.   also offers numerous other transistor products to meet higher and lower power ratings with various switching speed requirements in both through-hole and surface-mount packages.


艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-46


JANTXV2N3057A中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 50 @500mA, 10V

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-46-3

外形尺寸

封装 TO-46-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

JANTXV2N3057A引脚图与封装图
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