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JANTXV2N3419

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Trans GP BJT NPN 80V 3A 3Pin TO-5

This family of high-frequency, epitaxial planar transistors feature low saturation voltage. These devices are also available in TO-39 and low profile U4 packaging.  also offers numerous other transistor products to meet higher and lower power ratings with various switching speed requirements in both through-hole and surface-mount packages.


艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 3A 3-Pin TO-5


JANTXV2N3419中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 20 @1A, 2V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-5

外形尺寸

封装 TO-5

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

JANTXV2N3419引脚图与封装图
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