锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
JANTXV2N2369AUB

JANTXV2N2369AUB

数据手册.pdf

UB NPN 15V

This specially engineered NPN GP BJT from comes with a variety of characteristics including absolute maximum ratings, thermal characteristics, and DC and AC electrical characteristics. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 4.5 V. Its maximum power dissipation is 360 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 15 V and a maximum emitter base voltage of 4.5 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 200 °C.

JANTXV2N2369AUB中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 0.36 W

击穿电压集电极-发射极 15 V

最小电流放大倍数hFE 20 @100mA, 1V

额定功率Max 400 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 360 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 4

封装 TO-206

外形尺寸

封装 TO-206

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Pack

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

JANTXV2N2369AUB引脚图与封装图
暂无图片
在线购买JANTXV2N2369AUB
型号 制造商 描述 购买
JANTXV2N2369AUB Microsemi 美高森美 UB NPN 15V 搜索库存
替代型号JANTXV2N2369AUB
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： JANTXV2N2369AUB

品牌： Microsemi 美高森美

封装： UB NPN 360mW

当前型号

UB NPN 15V

当前型号

型号： JANTX2N2369AUB

品牌： 美高森美

封装： 360mW

完全替代

Trans GP BJT NPN 15V 360mW 3Pin UB

JANTXV2N2369AUB和JANTX2N2369AUB的区别

型号： 2N2369ACSM

品牌： Semelab

封装： LCC NPN

功能相似

SEMELAB  2N2369ACSM  单晶体管 双极, NPN, 15 V, 360 mW, 200 mA, 40 hFE

JANTXV2N2369AUB和2N2369ACSM的区别

型号： 2N2369AUB

品牌： 美高森美

封装： TO-18 360mW

功能相似

硅NPN开关晶体管 NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR

JANTXV2N2369AUB和2N2369AUB的区别