JANTX2N6766
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTX2N6766中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
耗散功率 4 W
漏源极电压Vds 200 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 4W Ta, 150W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3
外形尺寸
封装 TO-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
JANTX2N6766引脚图与封装图
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在线购买JANTX2N6766
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTX2N6766 | Microsemi 美高森美 | 每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百四十三分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543 | 搜索库存 |
替代型号JANTX2N6766
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTX2N6766 品牌： Microsemi 美高森美 封装： ~0.83deg | 当前型号 | 每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百四十三分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543 | 当前型号 |
| 型号： IRF251 品牌： IXYS Semiconductor 封装： | 功能相似 | High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series | JANTX2N6766和IRF251的区别 |
| 型号： IRF252 品牌： IXYS Semiconductor 封装： | 功能相似 | High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series | JANTX2N6766和IRF252的区别 |
| 型号： 2N6766E3 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | N-CH 200V 30A | JANTX2N6766和2N6766E3的区别 |