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JAN2N3737

JAN2N3737

数据手册.pdf

Trans GP BJT NPN 40V 1.5A 3Pin TO-46

If your circuit"s specifications require a device that can handle high levels of voltage, "s NPN general purpose bipolar junction transistor is for you. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 500 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 40 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 200 °C.

JAN2N3737中文资料参数规格
技术参数

频率 250 MHz

耗散功率 0.5 W

击穿电压集电极-发射极 40 V

最小电流放大倍数hFE 20 @1A, 1.5V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-46-3

外形尺寸

封装 TO-46-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

JAN2N3737引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
JAN2N3737 Microsemi 美高森美 Trans GP BJT NPN 40V 1.5A 3Pin TO-46 搜索库存
替代型号JAN2N3737
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： JAN2N3737

品牌： Microsemi 美高森美

封装： TO-46 500mW

当前型号

Trans GP BJT NPN 40V 1.5A 3Pin TO-46

当前型号

型号： JANTX2N3737

品牌： 美高森美

封装： TO-46 500mW

完全替代

Trans GP BJT NPN 40V 1.5A 3Pin TO-46

JAN2N3737和JANTX2N3737的区别

型号： JANTXV2N3737

品牌： 美高森美

封装： TO-46

完全替代

Trans GP BJT NPN 40V 1.5A 3Pin TO-46

JAN2N3737和JANTXV2N3737的区别

型号： 2N3737

品牌： 美高森美

封装： TO-206AB 500mW

完全替代

硅NPN开关晶体管 NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR

JAN2N3737和2N3737的区别