锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
JAN2N4033

JAN2N4033

数据手册.pdf

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT Small-Signal BJT

Implement this PNP GP BJT from to add switching and amplifying capabilities to your electronic circuit design. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 800 mW. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -65 °C to 200 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 80 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.

JAN2N4033中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.8 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 5V

额定功率Max 800 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 800 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-39

外形尺寸

封装 TO-39

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

JAN2N4033引脚图与封装图
暂无图片
在线购买JAN2N4033
型号 制造商 描述 购买
JAN2N4033 Microsemi 美高森美 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT Small-Signal BJT 搜索库存
替代型号JAN2N4033
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： JAN2N4033

品牌： Microsemi 美高森美

封装： TO-39 800mW

当前型号

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT Small-Signal BJT

当前型号

型号： 2N4029

品牌： 美高森美

封装： TO-18-3 500mW

功能相似

PNP硅晶体管开关 PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR

JAN2N4033和2N4029的区别

型号： 2N3467

品牌： Central Semiconductor

封装： TO-39

功能相似

2N Series 40V 1A PNP Through Hole Silicon Transistor - TO-39

JAN2N4033和2N3467的区别