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JANTX2N5667

JANTX2N5667

数据手册.pdf

NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR

brings you the solution to your high-voltage BJT needs with their NPN general purpose bipolar junction transistor. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 1200 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 300 V and a maximum emitter base voltage of 6 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -65 °C to 200 °C.

JANTX2N5667中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1.2 W

击穿电压集电极-发射极 300 V

最小电流放大倍数hFE 25 @1A, 5V

额定功率Max 1.2 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1200 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-5

外形尺寸

封装 TO-5

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

海关信息

ECCN代码 EAR99

JANTX2N5667引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
JANTX2N5667 Microsemi 美高森美 NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR 搜索库存
替代型号JANTX2N5667
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： JANTX2N5667

品牌： Microsemi 美高森美

封装： TO-5 1200mW

当前型号

NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR

当前型号

型号： JAN2N5667S

品牌： 美高森美

封装： TO-39 NPN

完全替代

NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR

JANTX2N5667和JAN2N5667S的区别

型号： JANTX2N5667S

品牌： 美高森美

封装： TO-39 NPN 1200mW

完全替代

NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR

JANTX2N5667和JANTX2N5667S的区别

型号： 2N5667S

品牌： 美高森美

封装：

完全替代

每NPN功率硅开关晶体管合格MIL -PRF- 455分之19500 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/455

JANTX2N5667和2N5667S的区别