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JANTX2N5664

JANTX2N5664

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绝对最大额定值（ TC = 25° C除非另有说明） ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25°C unless otherwise noted

Implement this versatile NPN GP BJT from into an electronic circuit to be used as a current or voltage-controlled switch or amplifier. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 2500 mW. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 200 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 200 V and a maximum emitter base voltage of 6 V.

JANTX2N5664中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 2.5 W

击穿电压集电极-发射极 200 V

最小电流放大倍数hFE 40 @1A, 5V

额定功率Max 2.5 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-66

外形尺寸

封装 TO-66

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

海关信息

ECCN代码 EAR99

JANTX2N5664引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
JANTX2N5664 Microsemi 美高森美 绝对最大额定值（ TC = 25° C除非另有说明） ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25°C unless otherwise noted 搜索库存
替代型号JANTX2N5664
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： JANTX2N5664

品牌： Microsemi 美高森美

封装： TO-66 2500mW

当前型号

绝对最大额定值（ TC = 25° C除非另有说明） ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25°C unless otherwise noted

当前型号

型号： 2N5039

品牌： NTE Electronics

封装： NPN

功能相似

Trans GP BJT NPN 150V 25A 3Pin2+Tab TO-3

JANTX2N5664和2N5039的区别

型号： 2N3585

品牌： NTE Electronics

封装： TO-66 NPN

功能相似

NTE ELECTRONICS  2N3585  单晶体管 双极, NPN, 300 V, 35 W, 2 A, 40 hFE

JANTX2N5664和2N3585的区别

型号： 2N3584

品牌： NTE Electronics

封装： NPN

功能相似

NTE ELECTRONICS 2N3584 Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 350V, 35W, 5A, 100 hFE

JANTX2N5664和2N3584的区别