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JANTXV2N2222AUB

JANTXV2N2222AUB

数据手册.pdf

UB NPN 50V 0.8A

Look no further than "s NPN general purpose bipolar junction transistor, which can easily operate in high voltage ranges. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 500 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V and a maximum emitter base voltage of 6 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -65 °C to 200 °C.

JANTXV2N2222AUB中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 0.5 W

输入电容 25 pF

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.8A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SMD-3

外形尺寸

封装 SMD-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

JANTXV2N2222AUB引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: JANTXV2N2222AUB

品牌: Microsemi 美高森美

封装: UB NPN 500mW

当前型号

UB NPN 50V 0.8A

当前型号

型号: JANS2N2222AUB

品牌: 美高森美

封装: Waffle 500mW

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