JANTX2N6802
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTX2N6802中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 0.8 W
漏源极电压Vds 600 V
耗散功率Max 800mW Ta, 25W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-205
外形尺寸
封装 TO-205
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
JANTX2N6802引脚图与封装图
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在线购买JANTX2N6802
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTX2N6802 | Microsemi 美高森美 | 每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百五十七分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557 | 搜索库存 |
替代型号JANTX2N6802
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTX2N6802 品牌： Microsemi 美高森美 封装： ~5deg | 当前型号 | 每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百五十七分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557 | 当前型号 |
| 型号： IRFF430 品牌： 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A ID, 500V, 1.725ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-39, 3 PIN | JANTX2N6802和IRFF430的区别 |