JANTXV2N3019
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
JANTXV2N3019中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 5 W
最小电流放大倍数hFE 100
最大电流放大倍数hFE 300
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min 65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-5-3
外形尺寸
封装 TO-5-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
军工级 Yes
JANTXV2N3019引脚图与封装图
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在线购买JANTXV2N3019
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTXV2N3019 | ON Semiconductor 安森美 | Trans GP BJT NPN 80V 1A 3Pin TO-39 Bulk | 搜索库存 |
替代型号JANTXV2N3019
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTXV2N3019 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-5-3 NPN | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 80V 1A 3Pin TO-39 Bulk | 当前型号 |
| 型号： JANTX2N3019 品牌： 美高森美 封装： TO-5-3 0.8W | 功能相似 | 低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR | JANTXV2N3019和JANTX2N3019的区别 |
| 型号： 2N3019 品牌： NTE Electronics 封装： TO-39 NPN | 功能相似 | NTE ELECTRONICS 2N3019 收发器芯片, NPN, 前置放大器驱动器 | JANTXV2N3019和2N3019的区别 |
