JANTXV2N2219A
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTXV2N2219A中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 0.8 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
额定功率Max 800 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 800 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-39-3
外形尺寸
封装 TO-39-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
JANTXV2N2219A引脚图与封装图
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在线购买JANTXV2N2219A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTXV2N2219A | Microsemi 美高森美 | NPN开关晶体管硅 NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号JANTXV2N2219A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTXV2N2219A 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-39-3 | 当前型号 | NPN开关晶体管硅 NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： JANS2N2219A 品牌： 美高森美 封装： TO-39 | 完全替代 | NPN开关晶体管硅 NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR | JANTXV2N2219A和JANS2N2219A的区别 |
| 型号： 2N2219A 品牌： 美国国家半导体 封装： | 功能相似 | TRANSISTOR 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39, BIP General Purpose Small Signal | JANTXV2N2219A和2N2219A的区别 |