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JANTX2N4029

JANTX2N4029

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JANTX Series 80V 1A Through Hole PNP Silicon Switching Transistor - TO-18

The three terminals of this PNP GP BJT from give it the ability to be used as either an electronic switch or amplifier. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 500 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 80 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 200 °C.

JANTX2N4029中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.5 W

输入电容 80 pF

上升时间 25 ns

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 5V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-18

外形尺寸

封装 TO-18

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

JANTX2N4029引脚图与封装图
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在线购买JANTX2N4029
型号 制造商 描述 购买
JANTX2N4029 Microsemi 美高森美 JANTX Series 80V 1A Through Hole PNP Silicon Switching Transistor - TO-18 搜索库存
替代型号JANTX2N4029
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： JANTX2N4029

品牌： Microsemi 美高森美

封装： TO-18 500mW

当前型号

JANTX Series 80V 1A Through Hole PNP Silicon Switching Transistor - TO-18

当前型号

型号： 2N4033

品牌： NTE Electronics

封装： PNP

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品牌： 美高森美

封装： TO-5 PNP

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品牌： Central Semiconductor

封装：

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