JANTX2N3057A
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTX2N3057A中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 50 @500mA, 10V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-206
外形尺寸
封装 TO-206
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
JANTX2N3057A引脚图与封装图
暂无图片
在线购买JANTX2N3057A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTX2N3057A | Microsemi 美高森美 | 低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号JANTX2N3057A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTX2N3057A 品牌： Microsemi 美高森美 封装： ~80deg | 当前型号 | 低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： 2N3057A 品牌： 美高森美 封装： TO-46 500mW | 完全替代 | 低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR | JANTX2N3057A和2N3057A的区别 |
| 型号： 2N5796 品牌： 美高森美 封装： TO-78 PNP | 功能相似 | 双PNP硅晶体管 PNP DUAL SILICON TRANSISTOR | JANTX2N3057A和2N5796的区别 |
| 型号： 2N4238 品牌： 美高森美 封装： TO-39 | 功能相似 | NPN型中功率硅晶体管 NPN MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR | JANTX2N3057A和2N4238的区别 |