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JANTX2N2907AUB

JANTX2N2907AUB

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PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR

The PNP general purpose bipolar junction transistor, developed by , is the perfect solution for your high-current density needs. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 500 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -65 °C to 200 °C.

JANTX2N2907AUB中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.5 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 300

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min 65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SMD-4

外形尺寸

封装 SMD-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Pack

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

JANTX2N2907AUB引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
JANTX2N2907AUB Microsemi 美高森美 PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR 搜索库存
替代型号JANTX2N2907AUB
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： JANTX2N2907AUB

品牌： Microsemi 美高森美

封装： UB 500mW

当前型号

PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR

当前型号

型号： JANS2N2907AUB

品牌： 美高森美

封装： 500mW

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封装： LCC PNP 500mW

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