
耗散功率 0.8 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 5V
额定功率Max 800 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 800 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-39
封装 TO-39
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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JANTX2N4033 | Microsemi 美高森美 | JANTX Series 80V 1A PNP Through Hole Silicon Switching Transistor - TO-39 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: JANTX2N4033 品牌: Microsemi 美高森美 封装: TO-39 800mW | 当前型号 | JANTX Series 80V 1A PNP Through Hole Silicon Switching Transistor - TO-39 | 当前型号 | |
型号: 2N4033J 品牌: Semicoa Semiconductor 封装: | 类似代替 | TO-39 PNP 80V 1A | JANTX2N4033和2N4033J的区别 | |
型号: 2N4033JV 品牌: Semicoa Semiconductor 封装: | 类似代替 | TO-39 PNP 80V 1A | JANTX2N4033和2N4033JV的区别 | |
型号: 2N4033JS 品牌: Semicoa Semiconductor 封装: | 类似代替 | TO-39 PNP 80V 1A | JANTX2N4033和2N4033JS的区别 |