JANTXV1N4150UR-1
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
主动器件
JANTXV1N4150UR-1中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1V @200mA
耗散功率 500 mW
反向恢复时间 4 ns
正向电流 400 mA
正向电流Max 400 mA
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-213AA
外形尺寸
封装 DO-213AA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
海关信息
ECCN代码 EAR99
JANTXV1N4150UR-1引脚图与封装图
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在线购买JANTXV1N4150UR-1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTXV1N4150UR-1 | Microsemi 美高森美 | Diode Switching 50V 0.2A 2Pin DO-213AA | 搜索库存 |
替代型号JANTXV1N4150UR-1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTXV1N4150UR-1 品牌： Microsemi 美高森美 封装： DO-213AA | 当前型号 | Diode Switching 50V 0.2A 2Pin DO-213AA | 当前型号 |
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