JANTX2N6796
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTX2N6796中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 180 mΩ
耗散功率 800 mW
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
上升时间 75 ns
额定功率Max 800 mW
下降时间 45 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 800mW Ta, 25W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-205-3
外形尺寸
封装 TO-205-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
JANTX2N6796引脚图与封装图
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在线购买JANTX2N6796
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTX2N6796 | Microsemi 美高森美 | 每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百五十七分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557 | 搜索库存 |
替代型号JANTX2N6796
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTX2N6796 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-39-3 | 当前型号 | 每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百五十七分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557 | 当前型号 |
| 型号： 2N6796 品牌： 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 8A ID, 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, TO-39, 3 PIN | JANTX2N6796和2N6796的区别 |
| 型号： IRFF130 品牌： 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 8A ID, 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN | JANTX2N6796和IRFF130的区别 |