JANTX2N6798

Microsemi(美高森美) 分立器件

每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百五十七分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557

通孔 N 通道 200 V 5.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-205AF（TO-39）

得捷:
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO205AF

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3-Pin TO-39

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3-Pin TO-39

Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3-Pin TO-39

JANTX2N6798中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 0.8 W

漏源极电压Vds 200 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 800mW Ta, 25W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-39

外形尺寸

封装 TO-39

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

JANTX2N6798引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
JANTX2N6798	Microsemi 美高森美	每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百五十七分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557	搜索库存

替代型号JANTX2N6798

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： JANTX2N6798 品牌： Microsemi 美高森美封装： TO-39	当前型号	每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百五十七分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557	当前型号
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