JANTX1N975B-1
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTX1N975B-1中文资料参数规格
技术参数
容差 ±5 %
正向电压 1.1 V
耗散功率 500 mW
测试电流 3.2 mA
稳压值 39 V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-35-2
外形尺寸
长度 4.44 mm
封装 DO-35-2
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
JANTX1N975B-1引脚图与封装图
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在线购买JANTX1N975B-1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTX1N975B-1 | Microsemi 美高森美 | 冶金结合双封堵施工 METALLURGICALLY BONDED DOUBLE PLUG CONSTRUCTION | 搜索库存 |
替代型号JANTX1N975B-1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTX1N975B-1 品牌： Microsemi 美高森美 封装： DO-35 | 当前型号 | 冶金结合双封堵施工 METALLURGICALLY BONDED DOUBLE PLUG CONSTRUCTION | 当前型号 |
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