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JANTX1N970B-1

JANTX1N970B-1

数据手册.pdf

冶金结合双封堵施工 METALLURGICALLY BONDED DOUBLE PLUG CONSTRUCTION

• 1N962B-1 THRU 1N986B-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX AND JANTXV PER MIL-PRF-19500/117

• METALLURGICALLY BONDED

• DOUBLE PLUG CONSTRUCTION


贸泽:
Zener Diodes Voltage Regulator


艾睿:
Zener Diode Single 24V 5% 33Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag


Chip1Stop:
Diode Zener Single 24V 5% 480mW 2-Pin DO-35


Verical:
Zener Diode Single 24V 5% 33Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag


JANTX1N970B-1中文资料参数规格
技术参数

容差 ±5 %

正向电压 1.1V @200mA

耗散功率 500 mW

测试电流 5.2 mA

稳压值 24 V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-35-2

外形尺寸

长度 4.44 mm

封装 DO-35-2

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

JANTX1N970B-1引脚图与封装图
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JANTX1N970B-1 Microsemi 美高森美 冶金结合双封堵施工 METALLURGICALLY BONDED DOUBLE PLUG CONSTRUCTION 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: JANTX1N970B-1

品牌: Microsemi 美高森美

封装: DO-35

当前型号

冶金结合双封堵施工 METALLURGICALLY BONDED DOUBLE PLUG CONSTRUCTION

当前型号

型号: 1N970B

品牌: NTE Electronics

封装:

功能相似

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JANTX1N970B-1和1N970B的区别

型号: 1N970

品牌: Continental Device

封装:

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24V Standard Grade 400mW Axial Zener Diode

JANTX1N970B-1和1N970的区别