JANTX1N963B-1
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTX1N963B-1中文资料参数规格
技术参数
容差 ±5 %
正向电压 1.1 V
耗散功率 500 mW
测试电流 10.5 mA
稳压值 12 V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-35
外形尺寸
封装 DO-35
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
JANTX1N963B-1引脚图与封装图
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在线购买JANTX1N963B-1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTX1N963B-1 | Microsemi 美高森美 | 冶金结合双封堵施工 METALLURGICALLY BONDED DOUBLE PLUG CONSTRUCTION | 搜索库存 |
替代型号JANTX1N963B-1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTX1N963B-1 品牌： Microsemi 美高森美 封装： DO-204AH | 当前型号 | 冶金结合双封堵施工 METALLURGICALLY BONDED DOUBLE PLUG CONSTRUCTION | 当前型号 |
| 型号： BZX55C12-TAP 品牌： 威世 封装： DO-35 12.7V | 功能相似 | 齐纳二极管 500mW，BZX55C 系列，Vishay Semiconductor小信号齐纳二极管 超剧烈反向特性 低反向电流电平 非常高的稳定性 低噪声 符合 AEC-Q101### 齐纳二极管，Vishay Semiconductor | JANTX1N963B-1和BZX55C12-TAP的区别 |
| 型号： BZX55C12-TR 品牌： 威世 封装： DO-35 | 功能相似 | 齐纳二极管, 500mW, 12.7V, DO-35 | JANTX1N963B-1和BZX55C12-TR的区别 |
| 型号： 1N963BTR 品牌： 飞兆/仙童 封装： DO-35 12V | 功能相似 | 稳压二极管 12V 0.5W Zener | JANTX1N963B-1和1N963BTR的区别 |