JANTXV2N2907A

ON Semiconductor 安森美分立器件

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 0.5W1/2W 3Pin TO-18 Box

Switching Transistor

PNP Silicon Epitaxial

Features

• MIL−PRF−19500/291 Qualified

• Available as JAN, JANTX, and JANTXV

• Hermetically Sealed Commercial Product with Option for Military Temperature Range Screening

艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 3-Pin TO-18 Box

Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 3-Pin TO-18 Bulk

Verical:
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 3-Pin TO-18 Bulk

Win Source:
TRANS PNP 60V 0.6A TO18 / Bipolar BJT Transistor PNP 60 V 600 mA 500 mW Through Hole TO-18

JANTXV2N2907A中文资料参数规格

技术参数

频率 200 MHz

极性 PNP

耗散功率 0.5 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-18-3

外形尺寸

封装 TO-18-3

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

军工级 Yes

海关信息

ECCN代码 EAR99

JANTXV2N2907A引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
JANTXV2N2907A	ON Semiconductor 安森美	Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 0.5W1/2W 3Pin TO-18 Box	搜索库存

替代型号JANTXV2N2907A

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： JANTXV2N2907A 品牌： ON Semiconductor 安森美封装： TO-18-3 PNP 500mW	当前型号	Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 0.5W1/2W 3Pin TO-18 Box	当前型号
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