JAN1N4454-1
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN1N4454-1中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1 V
耗散功率 500 mW
反向恢复时间 4 ns
正向电流 200 mA
正向电流Max 0.2 A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-35
外形尺寸
封装 DO-35
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
JAN1N4454-1引脚图与封装图
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在线购买JAN1N4454-1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN1N4454-1 | Microsemi 美高森美 | 硅开关二极管DO- 35玻璃封装 Silicon Switching Diode DO-35 Glass Package | 搜索库存 |
替代型号JAN1N4454-1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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