J112G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 35.0 V
额定电流 50.0 mA
击穿电压 -35.0 V
漏源极电阻 50 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 350 mW
漏源极电压Vds 35.0 V
栅源击穿电压 35.0 V
击穿电压 35 V
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
J112G引脚图与封装图 
J112G引脚图
J112G封装焊盘图
在线购买J112G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| J112G | ON Semiconductor 安森美 | JFET斩波晶体管N通道 - 耗尽 JFET Chopper Transistors N−Channel - Depletion | 搜索库存 |
替代型号J112G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： J112G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 N-Channel 35V 50mA 350mW | 当前型号 | JFET斩波晶体管N通道 - 耗尽 JFET Chopper Transistors N−Channel - Depletion | 当前型号 |
| 型号： J112RL1G 品牌： 安森美 封装： TO-92 N-Channel 35V 50mA | 完全替代 | JFET斩波晶体管N通道 - 耗尽 JFET Chopper Transistors N−Channel - Depletion | J112G和J112RL1G的区别 |
| 型号： J112RLRA 品牌： 安森美 封装： TO-92 N-Channel 35V 50mA 350mW | 完全替代 | JFET斩波晶体管N通道 - 耗尽 JFET Chopper Transistors N−Channel - Depletion | J112G和J112RLRA的区别 |