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J111,126

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NXP(恩智浦) 分立器件

JFET N-CH 40V 400mW TO92-3

JFET N-Channel 40V 400mW Through Hole TO-92-3


得捷:
JFET N-CH 40V 400MW TO92-3


艾睿:
Trans JFET N-CH 40V Si 3-Pin SPT Ammo


安富利:
Trans JFET N-CH 40V 3-Pin SPT Ammo


Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 40V Si 3-Pin SPT Ammo


J111,126中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 30 Ω

漏源极电压Vds 40 V

击穿电压 40 V

输入电容Ciss 6pF @10VVgs

额定功率Max 400 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 400 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

J111,126引脚图与封装图
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J111,126 NXP 恩智浦 JFET N-CH 40V 400mW TO92-3 搜索库存