J175
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
J175中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -30.0 V
额定电流 50.0 mA
击穿电压 30.0 V
漏源极电阻 125 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 350 mW
漏源极电压Vds 30 V
栅源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids -60.0 mA
击穿电压 30 V
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2014/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
J175引脚图与封装图
暂无图片
替代型号J175
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： J175 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-92 P-Channel -30V 50mA 125ohms 350mW | 当前型号 | P沟道开关 P-Channel Switch | 当前型号 |
| 型号： J175"D26Z 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 P-Channel -30V -50mA 125ohms 350mW | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR J175"D26Z 场效应管, JFET, 30V, 60mA, TO-92-3 | J175和J175"D26Z的区别 |
| 型号： J174 品牌： 飞利浦 封装： | 功能相似 | P-channel silicon field-effect transistors | J175和J174的区别 |