J110,126
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
J110,126中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 18 Ω
漏源极电压Vds 25 V
击穿电压 25 V
输入电容Ciss 30pF @0VVds
额定功率Max 400 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 400 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Box TB
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
J110,126引脚图与封装图
暂无图片
替代型号J110,126
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： J110,126 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-226-3 | 当前型号 | Trans JFET N-CH 25V 10mA Si 3Pin SPT Ammo | 当前型号 |
| 型号： PMBFJ110,215 品牌： 恩智浦 封装： SOT-23 N-Channel 250mW | 功能相似 | NXP PMBFJ110,215 晶体管, JFET, JFET, -25 V, 10 mA, -500 mV, SOT-23 | J110,126和PMBFJ110,215的区别 |