J270
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
J270中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 -15.0 A
击穿电压 -30.0 V
极性 P-Channel
耗散功率 350 mW
漏源极电压Vds 30.0 V
栅源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 8.50 mA
击穿电压 30 V
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
J270引脚图与封装图
暂无图片
替代型号J270
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： J270 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-92 P-Channel 30V -15A 350mW | 当前型号 | P沟道开关 P-Channel Switch | 当前型号 |
| 型号： PMBFJ177,215 品牌： 恩智浦 封装： TO-236-3 300mW | 功能相似 | P 通道 JFET，NXP### JFET 晶体管一系列 JFET（接线场效应晶体管）和 HEMT/HFET（高电子迁移率晶体管/异质结 FET）分立半导体设备。 | J270和PMBFJ177,215的区别 |
| 型号： PMBFJ174,215 品牌： 恩智浦 封装： SOT-23 P-Channel 300mW | 功能相似 | NXP PMBFJ174,215 晶体管, JFET, JFET, 30 V, 20 mA, 135 mA, 10 V, SOT-23, JFET | J270和PMBFJ174,215的区别 |
| 型号： PMBFJ175,215 品牌： 恩智浦 封装： SOT-23 P-Channel 300mW | 功能相似 | NXP PMBFJ175,215 晶体管, JFET, JFET, 30 V, 7 mA, 70 mA, 6 V, SOT-23, JFET | J270和PMBFJ175,215的区别 |