JDP2S12CRTE85L,Q
数据手册.pdf
Toshiba
东芝
主动器件
JDP2S12CRTE85L,Q中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1 W
正向电流Max 1000 mA
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 S-FLAT-2
外形尺寸
封装 S-FLAT-2
物理参数
工作温度 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
JDP2S12CRTE85L,Q引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JDP2S12CRTE85L,Q | Toshiba 东芝 | PIN 二极管 Radio-Freq SGL 180V 1.0pF 0.4 Ohm | 搜索库存 |