
额定电压DC 25.0 V
额定电流 10.0 mA
漏源极电阻 12 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 625 mW
漏源极电压Vds 25.0 V
栅源击穿电压 25 V
连续漏极电流Ids 40.0 mA
击穿电压 25 V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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J109_D26Z | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道 开关 J109_D26Z | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: J109_D26Z 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-92 N-Channel 25V 10mA 12ohms 625mW | 当前型号 | N沟道 开关 J109_D26Z | 当前型号 | |
型号: J109 品牌: 安森美 封装: TO-92-3 625mW | 类似代替 | ON Semiconductor J109 N通道 JFET 晶体管, Idss: min. 40mA, 3引脚 TO-92封装 | J109_D26Z和J109的区别 | |
型号: J108 品牌: 飞利浦 封装: | 功能相似 | N-channel silicon junction FETs | J109_D26Z和J108的区别 | |
型号: J108D26Z 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92 N-Channel 25V 10mA 8ohms 625mW | 功能相似 | Trans JFET N-CH 3Pin TO-92 T/R | J109_D26Z和J108D26Z的区别 |