漏源极电阻 12 Ω
漏源极电压Vds 25 V
击穿电压 25 V
输入电容Ciss 30pF @10VVgs
额定功率Max 400 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 400 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
封装 TO-226-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Box TB
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: J109,126 品牌: NXP 恩智浦 封装: TO-226-3 | 当前型号 | Trans JFET N-CH 25V 40mA 3Pin SPT Ammo | 当前型号 | |
型号: PMBFJ109,215 品牌: 恩智浦 封装: SOT-23 N-Channel 250mW | 功能相似 | NXP PMBFJ109,215. 射频场效应管, JFET, N沟道, 25V, 40mA, 3-SOT-23 | J109,126和PMBFJ109,215的区别 | |
型号: J109 品牌: 安森美 封装: TO-92-3 625mW | 功能相似 | ON Semiconductor J109 N通道 JFET 晶体管, Idss: min. 40mA, 3引脚 TO-92封装 | J109,126和J109的区别 | |
型号: J108 品牌: InterFET 封装: | 功能相似 | JFET N-CH 25V 625mW TO92 | J109,126和J108的区别 |