
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -50.0 mA
漏源极电阻 125 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 350 mW
漏源极电压Vds 30.0 V
栅源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 33.5 mA
击穿电压 30 V
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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J175_D26Z | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR J175_D26Z 晶体管, JFET, JFET, 30 V, -7 mA, -60 mA, 6 V, TO-92, JFET | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: J175_D26Z 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-92 P-Channel -30V -50mA 125ohms 350mW | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR J175_D26Z 晶体管, JFET, JFET, 30 V, -7 mA, -60 mA, 6 V, TO-92, JFET | 当前型号 | |
型号: J176_D74Z 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92 N-Channel -30V 25mA 250ohms 350mW | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR J176_D74Z 晶体管, JFET, JFET, 30 V, -2 mA, -25 mA, 4 V, TO-92, JFET | J175_D26Z和J176_D74Z的区别 |